技術名稱：具有發光奈米粒子之發光二極體
技術形式：中華民國專利（1件）
授權形式：專利授權；技術移轉
技術來源：國立大學
應用產業：光電產業；LED；奈米粒子

技術描述：
奈米粒子或量子點會增加電子態密度(density of state)，因而增加材料的發光效率。這些小尺寸的發光奈米粒子可用化學的方法形成奈米膠體粒子均勻分散在溶劑中，或者亦可用磊晶的方法長在半導體晶片的基板上。
磊晶的方法，基板的選擇非常苛刻，需要有配合量子點晶格的性質，而且其形成的速度非常緩慢（例如每小時數微米；μm/hr），單位面積覆蓋的密度非常低，尚需真空設備進行必須的製程。

化學方法形成的發光奈米膠體粒子有下列好處：(1)可以大量生產並分散在溶劑中，為溶液態；(2)可以用習知的塗佈方法如噴霧、浸漬或旋轉塗佈。塗佈法在任何基板上可以瞬間成膜；(3)速度可達每秒數微米(μm/sec)，可增加千倍的速度，以形成高密度、大面積之二極體，而其面積只受限於基板的面積。
我們提供一種製程以均一大小顆粒的膠體氧化物、半導體、或者高分子發光奈米粒子製作高品質、窄頻寬的發光體。本製程利用膠體發光奈米粒子可以均勻地分散在液體中，再使用簡便的薄膜製作法如噴霧、浸漬、或者塗佈將奈米粒子均勻加工在任何形狀、尺寸、種類的基材上，進而作成價廉、大面積、可複性、以及高效能的發光體。
我們已用CdS膠體奈米證明此製程的可行性，圖一顯示發光二極體可由CdS奈米粒子以旋轉塗佈法置於矽晶片上，加上Cr/Au電極製成。圖二顯示此二極體的綠光光譜。(648字)

關鍵圖式：

圖一　CdS奈米粒子在矽晶片上製作發光二極體的結構圖

圖二　CdS奈米粒子發光二極體的電致發光光譜