市場報導:2011年DRAM的五大趨勢
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市場報導

■ 2011年DRAM的五大趨勢


投資銀行 Barclays Capital 針對 DRAM 記憶體於 2011 年進行了五項大趨勢預測 !整體來說,其認為 DRAM 將於 2011 年步入衰退的命運,且各廠商都隱含了許多危機。


•  2011 年 DRAM 將走下坡:

2011 年將是 NAND 型快閃記憶體的一年,而非是 DRAM 的一年。從 NAND 記憶體的 資本支出金額首度超越 DRAM 產業可以看出端倪。其中,影響頗大的是平板裝置將取代低階筆記型電腦與小筆電。這使得原本需要 2GB DRAM 的低階筆記型電腦,轉為只需要 256MB DRAM ,這絕對會讓 DRAM 產生供過於求。

•  將邁入 3x 奈米製程:

為了降低成本, DRAM 供應商於 2011 年起都將積極轉向 3x 奈米製程。其中,兩大 DRAM 大廠三星與海力士都正在進行移轉的動作;甚至日本的爾必達也正在試圖從 65 或 65xS 奈米製程直接跳到 3x 奈米,期望以大幅度縮減製程來降低成本 。

•  韓國雙雄獨強:

以技術水準與獲利表現來看,目前 DRAM 產業的一線廠商只有韓國的三星與海力士能夠達到一線水準。至於美國美光、台灣南亞科與台灣華亞則是屬於二線廠商,其財務狀況與技術水準稍微略遜一籌。至於日本爾必達、台灣力晶與瑞晶則在三線的位子。

三星幾乎壟斷 30 奈米製程 DRAM 生產所必需的 NXT 微影設備。至於陷入負債的海力士,則於 2011 年可獲得解決,並更為積極在中國無錫廠生產 4x 奈米與 3x 奈米的 DRAM 。韓國雙雄獨強於 2011 年將更為明顯!

•  美光陷入困境:

由於製程轉換不順,使得美光以及其合作夥伴南亞科與華亞的 50 奈米製程技術良率問題並未得到完全的解決。因此,於 2011 年美光如果要轉進 40 奈米甚至 30 奈米製程 DRAM ,恐怕還會遭遇很大挑戰。能否克服這一轉換將關係著美光以及南亞科與華亞的未來競爭力。

•  爾必達的賭博

爾必達正在嚐試盡全力重新回到領導級廠商的行列。雖然與台灣政府的財務緊急救援尚未談妥,但是仍與瑞晶、力晶與茂德維持夥伴關係。現在爾必達正在日本與台灣兩地積極募資,以進行下一波投資;在技術方面,該公司開發出 65 奈米微縮製程,在 DRAM 價格仍不錯的時機,的確賺了一些錢;為了更長遠的目標,其正在試圖往 40 奈米與 30 奈米製程方面前進。但是這場豪賭到底會如何,還未定天!( 804 字)


表一、 2011 年不同廠商於 DRAM 記憶體製程技術

 

廠商

DRAM 製程情況

一線

三星、海力士

三星已轉往 30 奈米。海力士也轉往 40 與 30 奈米製程

二線

美光、南亞科與華亞

50 奈米製程技術良率仍有問題,正轉進轉進 40 奈米甚至 30 奈米製程

三線

爾必達、力晶與瑞晶

發展 65 奈米微縮製程,試圖往 40 奈米與 30 奈米製程方面前進

Source : 科技政策研究與資訊中心 — 科技產業資訊室 整理 , 201 0 年 12 月

 

關鍵字: DRAM 、記憶體( Memory )

(科技產業資訊室-- Kyle 編撰,2011/01/03)

 

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